АО «НИИПП» оказывает услуги по разработке МИС и ГИС СВЧ диапазона, а так же модулей СВЧ на основе собственной или зарубежной элементной базы.
Наши специалисты оказывают полный спектр услуг по разработке интегральных схем, для получения более подробной информации свяжитесь с нами.
АО «НИИПП» оказывает услуги по измерению параметров МИС и модулей СВЧ в диапазоне частот до 180 ГГц. Наличие измерительного оборудования (генераторы СВЧ сигналов, векторные анализаторы цепей, анализаторы спектра, SMU и др.) и полуавтоматических зондовых станций, в том числе с возможностью измерения в диапазоне температур от -60 до 250 °С, позволяет проводить зондовые измерения НЧ и СВЧ параметров полупроводниковых приборов и МИС.
Некоторые возможности ручного/автоматического зондового контроля | ||
---|---|---|
Измеряемые параметры/характеристики | Диапазон частот | Примечание |
ВАХ | - | 1мкВ - 200В 1нА - 3А |
s-параметры | 0.01-67 ГГц | 4 СВЧ порта, НЧ управление до 17 входов |
Параметры смесителей | 0.01-67 ГГц | Ргет=10-15 дБм до 50 ГГц |
Коэффициент шума | 0.01-50 ГГц | Вместе с s-параметрами |
Импульсные мощностные характеристики | 0.01-67 ГГц | Длительность импульса от 1-5 мкс |
Технология изготовления пассивных СВЧ МИС на подложках GaAs (процесс PMIC) подходит для разработки СВЧ фильтров, аттенюаторов, делителей мощности, схем согласования, коррекции и суммирования для квазимонолитных интегральных схем.
Технология позволяет формировать тонкопленочные резисторы, МДМ-конденсаторы, спиральные катушки индуктивности и сквозные металлизированные отверстия.
Технология изготовления СВЧ МИС на основе GaAs pin-диодов (процесс PIN12) подходит для разработки коммутационных схем и схем ограничителей мощности, работающих на частотах до 40 ГГц и выше.
Технология позволяет формировать pin-диоды, тонкопленочные резисторы, МДМ-конденсаторы, спиральные катушки индуктивности и сквозные металлизированные отверстия.
Технология изготовления СВЧ МИС на основе GaAs pin-диодов (процесс PIN20) подходит для разработки коммутационных схем и схем ограничителей мощности, работающих на частотах до 40 ГГц и выше.
Технология отличается от PIN12 повышенными пробивными напряжениями диодов. Технология позволяет формировать pin-диоды, тонкопленочные резисторы, МДМ-конденсаторы, спиральные катушки индуктивности и сквозные металлизированные отверстия.
Технология изготовления СВЧ МИС на основе GaAs диодов с барьером Шоттки (процесс DBS) подходит для разработки преобразовательных схем и схем ограничителей мощности, работающих на частотах до 140 ГГц и выше.
Технология позволяет формировать диоды с барьером Шоттки, тонкопленочные резисторы, МДМ-конденсаторы, спиральные катушки индуктивности и сквозные металлизированные отверстия.