Услуги

Разработка

АО «НИИПП» оказывает услуги по разработке МИС и ГИС СВЧ диапазона, а так же модулей СВЧ на основе собственной или зарубежной элементной базы.

Наши специалисты оказывают полный спектр услуг по разработке интегральных схем, для получения более подробной информации свяжитесь с нами.

Измерения

АО «НИИПП» оказывает услуги по измерению параметров МИС и модулей СВЧ в диапазоне частот до 180 ГГц. Наличие измерительного оборудования (генераторы СВЧ сигналов, векторные анализаторы цепей, анализаторы спектра, SMU и др.) и полуавтоматических зондовых станций, в том числе с возможностью измерения в диапазоне температур от -60 до 250 °С, позволяет проводить зондовые измерения НЧ и СВЧ параметров полупроводниковых приборов и МИС.

Некоторые возможности ручного/автоматического зондового контроля
Измеряемые параметры/характеристики Диапазон частот Примечание
ВАХ-1мкВ - 200В    1нА - 3А
s-параметры0.01-67 ГГц4 СВЧ порта, НЧ управление до 17 входов
Параметры смесителей0.01-67 ГГцРгет=10-15 дБм до 50 ГГц
Коэффициент шума0.01-50 ГГцВместе с s-параметрами
Импульсные мощностные характеристики0.01-67 ГГцДлительность импульса от 1-5 мкс

Foundry

PMIC - Технология изготовления пассивных СВЧ МИС

Технология изготовления пассивных СВЧ МИС на подложках GaAs (процесс PMIC) подходит для разработки СВЧ фильтров, аттенюаторов, делителей мощности, схем согласования, коррекции и суммирования для квазимонолитных интегральных схем.

Технология позволяет формировать тонкопленочные резисторы, МДМ-конденсаторы, спиральные катушки индуктивности и сквозные металлизированные отверстия.

Информация

PIN12 - Технология изготовления СВЧ МИС на основе GaAs pin-диодов

Технология изготовления СВЧ МИС на основе GaAs pin-диодов (процесс PIN12) подходит для разработки коммутационных схем и схем ограничителей мощности, работающих на частотах до 40 ГГц и выше.

Технология позволяет формировать pin-диоды, тонкопленочные резисторы, МДМ-конденсаторы, спиральные катушки индуктивности и сквозные металлизированные отверстия.

Информация

PIN20 - Технология изготовления СВЧ МИС на основе GaAs pin-диодов

Технология изготовления СВЧ МИС на основе GaAs pin-диодов (процесс PIN20) подходит для разработки коммутационных схем и схем ограничителей мощности, работающих на частотах до 40 ГГц и выше.

Технология отличается от PIN12 повышенными пробивными напряжениями диодов. Технология позволяет формировать pin-диоды, тонкопленочные резисторы, МДМ-конденсаторы, спиральные катушки индуктивности и сквозные металлизированные отверстия.

Информация

DBS - Технология изготовления СВЧ МИС на основе GaAs диодов с барьером Шоттки

Технология изготовления СВЧ МИС на основе GaAs диодов с барьером Шоттки (процесс DBS) подходит для разработки преобразовательных схем и схем ограничителей мощности, работающих на частотах до 140 ГГц и выше.

Технология позволяет формировать диоды с барьером Шоттки, тонкопленочные резисторы, МДМ-конденсаторы, спиральные катушки индуктивности и сквозные металлизированные отверстия.

Информация